编者按：第十一次全国归侨侨眷代表大会于8月31日开幕，会上对全国侨联系统先进单位和先进个人进行了表彰，陕西省侨界和各级侨联系统共6个单位、24名个人受到表彰。为持续做好培育侨联系统典型，达到褒扬先进，引领示范的作用，省侨联对受表彰单位和个人先进事迹进行系列宣传报道，希望全省广大归侨侨眷和各级侨联组织、侨联工作者以他们为榜样，与祖国共奋进、与人民齐奋斗，在奋力谱写中国式现代化建设的陕西新篇章中展现侨界风采，贡献侨界力量。

云峰，1966年生，归侨。现任西安交通大学领军教授。

云峰自1987年本科毕业起在中科院西安光机所从事尖端光电子材料MOCVD生长和器件研究工作。曾获陕西省科学技术进步二等奖（排名第五）。博士阶段继续从事硅基光电子材料器件的研究。在纳米材料的生长及其在太阳能电池中的应用有较深入的研究。在日本东京工业大学量子电子学研究所全面掌握并拓展了国际上最先进的纳米制造技术，并在硅基光电子及微电子器件的应用研究中取得重大突破，早期成果得到国际同行的认可并发表在多篇国际著名期刊中。

1999年底于美国大弗吉尼亚州立大学从事III-V族氮化物半导体材料和器件的基础应用研究。在材料物性、MOCVD生长技术、器件设计及封装工艺等基础领域做出了大量奠基性的工作，并在该领域取得多项国际公认的突破性的学术成就，同时也在化合物半导体材料MOCVD生长及器件工艺以及材料和器件的表征方面取得了很高的造诣。例如在MOCVD生长过程中引入多层纳米结构以提高晶体质量，对GaN 材料极性和压电效应的关系研究，以及AlGaN合金材料的能带非线性系数的研究，相关论文被国际同行多次他引并高度评价。对MOCVD及MBE生长技术及关键设备亦有深入的实践经验。对包括发光二极管（LED）在内的光电器件设计优化有丰富的积累。在国际权威期刊（Appl. Phys. Lett.; J. Appl. Phys.; J. Crystal Growth; Elect. Lett.等）和国际学术会议发表著述数十篇并被广泛引用，包括科技论文，研究专著和会议报告，并在氮化镓材料和UHB-LED器件领域拥有关键知识产权的专有技术和专利。例如在国际上首次提出掩埋式氮化铝镓层辅助的激光蓝宝石剥离技术，大幅降低和简化了垂直结构超高亮度LED的制造成本和工艺流程。多年来在国际学术界的突出贡献也得到了国际顶尖级人物的鼎立举荐。

自2005年起担任由麻省理工学院（MIT）创办的美国朗明纳斯器件公司任器件工程师，后任首席器件研发工程师，全面主持高端LED的设计和创新，配套半导体照明解决方案的开发，以及与公司经营战略相配套的技术路线的制定和实施。领导技术团队，采用适合于大规模生产的低成本纳米制造技术和独特的MOCVD外延设计优化，配套以相应的先进散热方案，彻底解决了LED的瓶颈问题。带领技术团队成功地研发并推出屡次更新的LED产品系列，使该公司的LED性能全面达到世界独一无二的阶段。例如作为白光产品的首要指标即发光效率达125lm/W，且单片输出光通量大于5000lm；作为显示和投影产品的瓶颈效应的绿光芯片亮度四年提高4倍达到单片4000lm。产品不但用于大屏幕电视，数字投影设备和家庭影院，也广泛应用于众多的专业及民用照明领域，引领全球LED产业的技术发展方向。

在多年的学术积累和一线工业技术研发中，云峰博士的持续创新能力奠定了他在国际氮化物半导体光电领域的学术地位。他同时也以扎实的学术功底，丰富的实战经验，以及卓越的领导能力，对LED器件从概念设计、新产品引入、到生产线搭建；从技术论证，研发管理到成果转化的整套流程及国际规范都十分熟悉。在全球LED产业链布局中，云博士在美日台韩和中国大陆地区拥有广泛而深入的研发及商业合作网络，与数家美国、台湾地区和日韩的设备、晶圆、芯片及封装厂家有常年的紧密合作。